...
0

IPD06N03LBG

IPD06N03LBG
ویژگی های محصول:
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Polarity: N-Channel Type
  • Voltage (ds): 30 V
  • Current (Id): 50 A
  • Resistance (Rds): 6.1 Ω
  • Mounting Style: SMD/SMT
  • Package: DPAK (PG-TO252-3-11)
برند: شناسه محصول: 1221 دسته‌بندی: برچسب‌ها: , , تاریخ به روز رسانی: 26 مرداد 1404

تماس بگیرید!

سفارش بالای ۱۰ میلیون تیپاکس رایگان !

  • تضمین بهترین قیمت بازار
  • پشتیبانی ، روزها و ساعات اداری
  • بازگشت وجه در صورت عدم رضایت
  • اصالت کالاها از برترین برندها
  • تحویل سریع در کمترین زمان ممکن

توضیحات

MOSFET

مشخصات IPD06N03LBG

این قطعه از خانواده ماسفت می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

ترانزیستور IPD06N03LBG یک MOSFET کانال N از شرکت Infineon است که با فناوری OptiMOS®2 طراحی شده. این قطعه با ولتاژ کاری 30 ولت و جریان عبوری بالا، انتخابی ایده‌آل برای کاربردهای سوئیچینگ پرسرعت و مدارهای DC-DC محسوب می‌شود.

یکی از ویژگی‌های مهم این MOSFET مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (Rds(on)) است؛ به‌طوری‌که در ولتاژ گیت 10 ولت تنها حدود 6.1 میلی‌اهم و در 4.5 ولت حدود 9.1 میلی‌اهم مقاومت دارد. این مقدار پایین مقاومت باعث می‌شود اتلاف انرژی و تولید گرما به حداقل برسد و راندمان مدار افزایش یابد.

پکیج این قطعه از نوع DPAK (PG-TO252-3-11) است که به‌صورت سطح‌نصب (SMD) روی برد قرار می‌گیرد و با طراحی خاص خود، دفع حرارت بسیار خوبی را فراهم می‌کند. همین ویژگی باعث می‌شود در منابع تغذیه سوئیچینگ، رگولاتورها، کارت‌های گرافیک و مادربوردها به‌طور گسترده استفاده شود.

ویژگی های محصول

Number of Channels

1 Channel

Polarity

N-Channel Type

Voltage (ds)

30 V

Current (Id)

50 A

Resistance (Rds)

6.1 Ω

Mounting Style

SMD/SMT

Package

DPAK (PG-TO252-3-11)

نقد و بررسی ها

نقد و بررسی وجود ندارد.

افزودن نفد و بررسی
سبد خرید

سبد خرید شما خالی است.

ورود به سایت
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.