توضیحات
IR MOSFET™ IR MOSFET™
مشخصات IRFR1010ZPBF
این قطعه از خانواده ماسفت می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
IRFR1010ZPBF یک MOSFET قدرت N‑Channel HEXFET® است که در پکیج D‑PAK / TO‑252‑3 برای نصب سطح‌سوار (SMT/SMD) ارایه می‌شود؛ ویژگی‌های کلیدی شامل ولتاژ Drain‑Source 55 V، جریان مداوم ≈42 A @ TC=25 °C، حداکثر RDS(on) ≈5.8–7.5 mΩ @ VGS=10 V، بار گیت ≈63 nC، ظرفیت ورودی ~2840 pF، توان اتلاف ≈140 W، ولتاژ گیت مجاز ±20 V و دمای کاری −55 تا +175 °C؛ با توجه به RDS(on) بسیار پایین و بسته‌بندی SMD جمع‌وجور، این قطعه برای کاربردهای خودرویی، کلیدزنی جریان بالا با محدوده ولتاژ متوسط و سیستم‌های مدیریت توان صنعتی بسیار مناسب است
نقد و بررسی وجود ندارد.