توضیحات
IR MOSFET™
مشخصات IRFB3307PBF
این قطعه از خانواده ماسفت میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
IRFB3307PBF یک MOSFET قدرت N-Channel HEXFET® از شرکت Infineon است که برای کاربردهای جریان بالا و راندمان بسیار زیاد طراحی شده است.
این قطعه با ولتاژ کاری 75 ولت، جریان مداوم 120 آمپر و مقاومت روشن فوقالعاده پایین حدود 2.8 میلیاهم، انتخابی ایدهآل برای سیستمهای قدرتی است که به حداقل تلفات و حداکثر بهرهوری نیاز دارند. توان اتلاف این MOSFET حدود 300 وات است و محدوده دمای کاری آن از -55 تا +175 درجه سانتیگراد میباشد که عملکرد پایدار در شرایط سخت صنعتی را تضمین میکند.
بار گیت حدود 150 نانوکولن و ولتاژ گیت مجاز ±20 ولت امکان کلیدزنی سریع در فرکانسهای بالا را فراهم میکند. طراحی این قطعه در پکیج TO-220AB با سبک نصب Through-Hole باعث میشود بتوان آن را بهراحتی روی هیتسینک برای دفع حرارت بهتر نصب کرد.
بهدلیل ویژگیهایی مانند RDS(on) بسیار پایین، تحمل جریان بالا و سرعت سوئیچینگ زیاد، IRFB3307PBF گزینهای عالی برای منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، مبدلهای DC-DC، اینورترها، UPS، کنترل موتورهای صنعتی و کاربردهای توان بالا است.
نقد و بررسی وجود ندارد.