...
0

IKW50N60T

IKW50N60T
ویژگی های محصول:
  • Collector Emitter Voltage (VCEO): 600 V
  • DC Collector Current: 50 A
  • Minimum Operating Temperature: -40 °C
  • Maximum Operating Temperature: +175 °C
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package: TO-247-3
برند: شناسه محصول: 2016 دسته‌بندی‌ها: , , برچسب‌ها: , تاریخ به روز رسانی: 17 شهریور 1404

تماس بگیرید!

سفارش بالای ۱۰ میلیون تیپاکس رایگان !

  • تضمین بهترین قیمت بازار
  • پشتیبانی ، روزها و ساعات اداری
  • بازگشت وجه در صورت عدم رضایت
  • اصالت کالاها از برترین برندها
  • تحویل سریع در کمترین زمان ممکن

توضیحات

IGBT

مشخصات IKW50N60T

این قطعه از خانواده آی جی بی تی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

قطعه IKW50N60T یک ترانزیستور IGBT از شرکت Infineon است که با فناوری Field Stop Trench ساخته شده و ترکیبی از ویژگی‌های MOSFET (سرعت سوئیچینگ بالا) و BJT (توان تحمل جریان زیاد) را ارائه می‌دهد.

این قطعه با ولتاژ کلکتور-امیتر 600 ولت و جریان نامی حدود 50 آمپر طراحی شده و برای کاربردهایی مثل درایو موتور، اینورترهای صنعتی، منابع تغذیه سوئیچینگ و سیستم‌های انرژی تجدیدپذیر بهینه‌سازی شده است.

به دلیل افت اشباع پایین (Vce(sat) کم) و تلفات هدایتی اندک، بازده مدار را بالا می‌برد و گرمای کمتری تولید می‌کند. همچنین توانایی تحمل ولتاژهای گذرای بالا و کار در فرکانس‌های سوئیچینگ متوسط تا بالا را دارد. این قطعه در پکیج TO-247 عرضه می‌شود که به صورت Through-Hole نصب شده و برای خنک‌سازی مؤثر روی هیت‌سینک مناسب است.

ویژگی های محصول

Collector Emitter Voltage (VCEO)

600 V

DC Collector Current

50 A

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Mounting Style

Through Hole

Package

TO-247-3

نقد و بررسی ها

نقد و بررسی وجود ندارد.

افزودن نفد و بررسی
سبد خرید

سبد خرید شما خالی است.

ورود به سایت
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.