توضیحات
IGBT
مشخصات HGTG10N120BND
این قطعه از خانواده آی جی بی تی میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
ترانزیستور HGTG10N120BND یک IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) از برند ON Semiconductor است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ و توان بالا طراحی شده و ولتاژ کلکتور-امیتر آن تا 1200 ولت و جریان کلکتور آن حدود 35 آمپر میباشد.
زمان سوئیچینگ سریع و تلفات کم دارد، بنابراین در اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و کاربردهای صنعتی قدرت بهکار میرود. همچنین دارای دیود داخلی (fast recovery diode) برای بهبود عملکرد در مدارات قدرت است
نقد و بررسی وجود ندارد.