افزودن به علاقه مندی ها

GT60N321

ویژگی های محصول:

Collector Emitter Voltage (VCEO): 1000 V
DC Collector Current: 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Power Dissipation: 170 W
Mounting Style: Through Hole
Maximum Operating Temperature: +150 °C
Package: TO-247AD (TO-3P)

برند: Toshiba Corporation شناسه محصول: 2036 دسته‌بندی‌ها: IGBT, Discrete Semiconductors, Semiconductors برچسب‌ها: GT60N321, IGBT تاریخ به روز رسانی: 18 شهریور 1404

سفارش بالای ۱۰ میلیون تیپاکس رایگان !

تضمین بهترین قیمت بازار
پشتیبانی ، روزها و ساعات اداری
بازگشت وجه در صورت عدم رضایت
اصالت کالاها از برترین برندها
تحویل سریع در کمترین زمان ممکن

توضیحات

IGBT

مشخصات GT60N321

این قطعه از خانواده آی جی بی تی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

برند Toshiba Corporation
پکیج TO-247AD (TO-3P)
نوع نصب روی برد Through Hole
ولتاژ کلکتور-امیتر 1000 ولت
جریان کلکتور 60 آمپر
اتلاف قدرت 170 وات
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 25 ولت
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.6 ولت
حداکثر دمای عملیاتی +150 درجه سانتیگراد

ویژگی های محصول

Collector Emitter Voltage (VCEO)	1000 V
DC Collector Current	60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.6 V
Configuration	Single
Power Dissipation	170 W
Mounting Style	Through Hole
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Package	TO-247AD (TO-3P)