توضیحات
IGBT
مشخصات GT40Q321
این قطعه از خانواده آی جی بی تی میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
قطعه GT40Q321 یک IGBT نسل پنجم Injection-Enhanced Gate Transistor ساخت Toshiba است که برای مدارات ولتاژ رزونانس طراحی شده. این IGBT دارای ولتاژ نامی 1200 V و جریان DC تا 42 A است.
با دیود داخلی و تلفات کم (برق افت ولتاژ اشباع ~2.8 V)، این قطعه توانایی کلیدزنی سریع (rising/falling < 1 µs) را دارد و برای کاربردهایی مانند اینداکشن هیترها یا اینورترها عالی است.
نقد و بررسی وجود ندارد.