...
0

RGT16NS65D

RGT16NS65D
ویژگی های محصول:
  • Collector Emitter Voltage (VCEO): 650 V
  • DC Collector Current: 8A
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package: TO-262
برند: دسته‌بندی‌ها: , , برچسب: تاریخ به روز رسانی: 15 شهریور 1404

تماس بگیرید!

سفارش بالای ۱۰ میلیون تیپاکس رایگان !

  • تضمین بهترین قیمت بازار
  • پشتیبانی ، روزها و ساعات اداری
  • بازگشت وجه در صورت عدم رضایت
  • اصالت کالاها از برترین برندها
  • تحویل سریع در کمترین زمان ممکن

توضیحات

مشخصات RGT16NS65D

این قطعه از خانواده آی جی بی تی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

ترانزیستور RGT16NS65D یک IGBT N-Channel با تکنولوژی Field Stop Trench از شرکت ROHM است که برای کاربردهای قدرتی طراحی شده و ترکیبی از مقاومت پایین و راندمان بالا را ارائه می‌دهد.

این قطعه توانایی تحمل ولتاژ کلکتور-امیتر 650 ولت و جریان پیوسته حدود 8 آمپر در دمای 100°C را دارد و توان اتلاف آن به 94 وات می‌رسد. ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر آن پایین (حدود 1.65 ولت) است که باعث کاهش تلفات سوئیچینگ می‌شود، و همچنین قابلیت تحمل اتصال کوتاه تا 5 میکروثانیه را دارد.

محدوده دمای کاری آن -55 تا +175 درجه سانتی‌گراد است و در پکیج TO-262 عرضه می‌شود که قابلیت نصب روی هیت‌سینک را دارد. این ویژگی‌ها باعث شده RGT16NS65D انتخابی مناسب برای اینورترها، درایورهای موتور، منابع تغذیه سوئیچینگ و سیستم‌های UPS باشد

 

ویژگی های محصول

Collector Emitter Voltage (VCEO)

650 V

DC Collector Current

8A

Mounting Style

Through Hole

Package

TO-262

نقد و بررسی ها

نقد و بررسی وجود ندارد.

افزودن نفد و بررسی
سبد خرید

سبد خرید شما خالی است.

ورود به سایت
Seraphinite AcceleratorOptimized by Seraphinite Accelerator
Turns on site high speed to be attractive for people and search engines.